DF11MR12W1M1B11BOMA1

Gyártási szám:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Gyártó:	Rochester Electronics
A leírás része:	IGBT MODULE
Adatlapokat:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Adatlapokat
Ólommentes állapot / RoHS állapot:	Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Készlet állapota:	Raktáron
Innen szállítva:	Hong Kong
Szállítási mód:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MEGJEGYZÉS: Az Rochester Electronics DF11MR12W1M1B11BOMA1 elérhető a chipnets.com oldalon. Csak új és eredeti alkatrészeket árulunk, és 1 év garanciát vállalunk. Ha többet szeretne megtudni a termékekről, vagy kedvezőbb árat szeretne kérni, vegye fel velünk a kapcsolatot, kattintson az Online Chatre, vagy küldjön árajánlatot nekünk.

Az összes Eelctronics komponens nagyon biztonságosan becsomagolható az ESD antisztatikus védelem révén.

package

Leírás

típus	Leírás
Sorozat	*
Csomag	Bulk
Alkatrész állapota	Active
FET típus	2 N-Channel (Dual)
FET funkció	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source feszültség (Vdss)	1200V (1.2kV)
Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Kaputöltés (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 800V
Teljesítmény - Max	20mW
Üzemi hőmérséklet	-40°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus	Chassis Mount
Csomag / tok	Module
Szállítói eszközcsomag	Module

VÁSÁRLÁSI LEHETŐSÉGEK

Készlet állapota: 83

Minimális: 1

Mennyiség	Egységár	Ext. Ár
Az ár nem elérhető, kérjük, érdeklődjön

Fuvarszámítás

40 USD a FedEx által.

Érkezés 3-5 napon belül

Expressz: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ingyenes szállítás az első 0,5 kg-ra 150 USD feletti rendelés esetén, a túlsúly külön felszámításra kerül

Népszerű modellek

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Ezt a terméket hozzáadtuk a kosarához.