SI4712DY-T1-GE3

Gyártási szám:	SI4712DY-T1-GE3
Gyártó:	Vishay / Siliconix
A leírás része:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Adatlapokat:	SI4712DY-T1-GE3 Adatlapokat
Ólommentes állapot / RoHS állapot:	Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Készlet állapota:	Raktáron
Innen szállítva:	Hong Kong
Szállítási mód:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MEGJEGYZÉS: Az Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 elérhető a chipnets.com oldalon. Csak új és eredeti alkatrészeket árulunk, és 1 év garanciát vállalunk. Ha többet szeretne megtudni a termékekről, vagy kedvezőbb árat szeretne kérni, vegye fel velünk a kapcsolatot, kattintson az Online Chatre, vagy küldjön árajánlatot nekünk.

Az összes Eelctronics komponens nagyon biztonságosan becsomagolható az ESD antisztatikus védelem révén.

package

Leírás

típus	Leírás
Sorozat	SkyFET®, TrenchFET®
Csomag	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Alkatrész állapota	Obsolete
FET típus	N-Channel
Technológia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source feszültség (Vdss)	30 V
Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C	14.6A (Tc)
Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Kaputöltés (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds	1084 pF @ 15 V
FET funkció	-
Teljesítmény-leadás (Max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus	Surface Mount
Szállítói eszközcsomag	8-SO
Csomag / tok	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

VÁSÁRLÁSI LEHETŐSÉGEK

Készlet állapota: Szállítás ugyanazon a napon

Minimális: 1

Mennyiség	Egységár	Ext. Ár
Az ár nem elérhető, kérjük, érdeklődjön

Fuvarszámítás

40 USD a FedEx által.

Érkezés 3-5 napon belül

Expressz: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ingyenes szállítás az első 0,5 kg-ra 150 USD feletti rendelés esetén, a túlsúly külön felszámításra kerül

Népszerű modellek

Ezt a terméket hozzáadtuk a kosarához.