GA10SICP12-263

Gyártási szám:	GA10SICP12-263
Gyártó:	GeneSiC Semiconductor
A leírás része:	TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Adatlapokat:	GA10SICP12-263 Adatlapokat
Ólommentes állapot / RoHS állapot:	Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Készlet állapota:	Raktáron
Innen szállítva:	Hong Kong
Szállítási mód:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MEGJEGYZÉS: Az GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 elérhető a chipnets.com oldalon. Csak új és eredeti alkatrészeket árulunk, és 1 év garanciát vállalunk. Ha többet szeretne megtudni a termékekről, vagy kedvezőbb árat szeretne kérni, vegye fel velünk a kapcsolatot, kattintson az Online Chatre, vagy küldjön árajánlatot nekünk.

Az összes Eelctronics komponens nagyon biztonságosan becsomagolható az ESD antisztatikus védelem révén.

package

Leírás

típus	Leírás
Sorozat	-
Csomag	Tube
Alkatrész állapota	Active
FET típus	-
Technológia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source feszültség (Vdss)	1200 V
Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Kaputöltés (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	-
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET funkció	-
Teljesítmény-leadás (Max)	170W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	175°C (TJ)
Szerelési típus	Surface Mount
Szállítói eszközcsomag	D2PAK (7-Lead)
Csomag / tok	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

VÁSÁRLÁSI LEHETŐSÉGEK

Készlet állapota: Szállítás ugyanazon a napon

Minimális: 1

Mennyiség	Egységár	Ext. Ár
Az ár nem elérhető, kérjük, érdeklődjön

Fuvarszámítás

40 USD a FedEx által.

Érkezés 3-5 napon belül

Expressz: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ingyenes szállítás az első 0,5 kg-ra 150 USD feletti rendelés esetén, a túlsúly külön felszámításra kerül

Népszerű modellek

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Ezt a terméket hozzáadtuk a kosarához.