SIHD9N60E-GE3

Gyártási szám:	SIHD9N60E-GE3
Gyártó:	Vishay / Siliconix
A leírás része:	MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Adatlapokat:	SIHD9N60E-GE3 Adatlapokat
Ólommentes állapot / RoHS állapot:	Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Készlet állapota:	Raktáron
Innen szállítva:	Hong Kong
Szállítási mód:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

MEGJEGYZÉS: Az Vishay / Siliconix SIHD9N60E-GE3 elérhető a chipnets.com oldalon. Csak új és eredeti alkatrészeket árulunk, és 1 év garanciát vállalunk. Ha többet szeretne megtudni a termékekről, vagy kedvezőbb árat szeretne kérni, vegye fel velünk a kapcsolatot, kattintson az Online Chatre, vagy küldjön árajánlatot nekünk.

Az összes Eelctronics komponens nagyon biztonságosan becsomagolható az ESD antisztatikus védelem révén.

package

Leírás

típus	Leírás
Sorozat	E
Csomag	Cut Tape (CT)
Alkatrész állapota	Active
FET típus	N-Channel
Technológia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source feszültség (Vdss)	600 V
Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	368mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Kaputöltés (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds	778 pF @ 100 V
FET funkció	-
Teljesítmény-leadás (Max)	78W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus	Surface Mount
Szállítói eszközcsomag	D-PAK (TO-252AA)
Csomag / tok	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

VÁSÁRLÁSI LEHETŐSÉGEK

Készlet állapota: 2965

Minimális: 1

Mennyiség	Egységár	Ext. Ár
Az ár nem elérhető, kérjük, érdeklődjön

Fuvarszámítás

40 USD a FedEx által.

Érkezés 3-5 napon belül

Expressz: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ingyenes szállítás az első 0,5 kg-ra 150 USD feletti rendelés esetén, a túlsúly külön felszámításra kerül

Népszerű modellek

Ezt a terméket hozzáadtuk a kosarához.