Rectron USA / RM4N650LD
A kép tájékoztató jellegű, kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot a valós képért
RM4N650LD
| Gyártási szám: | RM4N650LD |
| Gyártó: | Rectron USA |
| A leírás része: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2 |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Ólommentes / RoHS-kompatibilis |
| Készlet állapota: | Raktáron |
| Innen szállítva: | Hong Kong |
| Szállítási mód: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- MEGJEGYZÉS
- Az Rectron USA RM4N650LD elérhető a chipnets.com oldalon. Csak új és eredeti alkatrészeket árulunk, és 1 év garanciát vállalunk. Ha többet szeretne megtudni a termékekről, vagy kedvezőbb árat szeretne kérni, vegye fel velünk a kapcsolatot, kattintson az Online Chatre, vagy küldjön árajánlatot nekünk.
Az összes Eelctronics komponens nagyon biztonságosan becsomagolható az ESD antisztatikus védelem révén.
Leírás
| típus | Leírás |
|---|---|
| Sorozat | - |
| Csomag | Tape & Reel (TR) |
| Alkatrész állapota | Active |
| FET típus | N-Channel |
| Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source feszültség (Vdss) | 650 V |
| Áram - folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Hajtási feszültség (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Kaputöltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max) | ±30V |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| FET funkció | - |
| Teljesítmény-leadás (Max) | 46W (Tc) |
| Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Szállítói eszközcsomag | TO-252-2 |
| Csomag / tok | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Készlet állapota: Szállítás ugyanazon a napon
Minimális: 1
| Mennyiség | Egységár | Ext. Ár |
|---|---|---|
Az ár nem elérhető, kérjük, érdeklődjön |
||
Fuvarszámítás
40 USD a FedEx által.
Érkezés 3-5 napon belül
Expressz: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ingyenes szállítás az első 0,5 kg-ra 150 USD feletti rendelés esetén, a túlsúly külön felszámításra kerül
Kosárba adva!
Ezt a terméket hozzáadtuk a kosarához.